7月初,美國政府與荷蘭ASML商談,希望后者禁止向中國出售深紫外 (DUV) 光刻機(jī)(可用于制造7nm制程芯片),美國還向日本施壓,要求其停止向中國銷售光刻設(shè)備;
7月底,美國進(jìn)一步限制中國獲得半導(dǎo)體設(shè)備,從之前對制造10nm制程芯片的設(shè)備限制擴(kuò)大至14nm的;
8月初,路透社報(bào)道,美國考慮通過禁止出口制造超過128層NAND Flash、18nm及更先進(jìn)制程DRAM的設(shè)備來遏制中國存儲芯片龍頭企業(yè)發(fā)展;
8月中旬,美國宣布,該國公司不得向中國大陸提供用于設(shè)計(jì)、制造3nm或更先進(jìn)制程芯片的EDA工具;
8月底,英偉達(dá)向美國證券交易委員會提交的文件顯示,美國即將發(fā)布一項(xiàng)禁止向中國出口高性能GPU芯片的禁令。
無論是制造18nm制程DRAM、128層NAND Flash存儲芯片,還是用于制造14nm制程的邏輯芯片,相關(guān)高端半導(dǎo)體設(shè)備,特別是來自于美國廠商的,已經(jīng)很難獲得,而且,今后幾年,來自于日本、韓國和歐洲的類似設(shè)備,大概率也越來越難以購買,要想制造高端芯片,就必須依靠本土設(shè)備了。