IOL觀察
數據
報告
冷暖智造
EN
2024年6月18日，士蘭集宏項目正式開工，經過8個月緊張有序的建設，今天項目正式封頂。這是項目嚴格按照事先制定的重大里程碑節點準時完成封頂，也是一次性實現各棟號的全面封頂。長期以來，士蘭微電子堅持走IDM（設計制造一體化）發展道路，不斷積累技術和工藝經驗，推動和引領著國內功率半導體芯片行業的發展。
士蘭微在廈門制造基地建設的車規級6英寸SiC MOSFET產線，從2022年起至今已經量產三年，目前基于士蘭自主研發和生產的二代SiC主驅芯片開發的高性能SiC功率模塊已大批量上車，得到了TOP客戶認可，并且士蘭微已完成了四代SiC芯片的研發，新一代SiC功率模塊也將于今年上量。士蘭集宏項目，體現了士蘭微電子“集中意志和力量，努力實現超越式發展，爭取早日成為具有世界一流競爭力的綜合性半導體公司”的宏大愿景，其中總投資70億元的一期項目，我們盡最大努力爭取在今年年底實現初步通線，明年一季度投產，到2028年底最終形成年產42萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產能力。項目的建成，將能較好的滿足國內新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、儲能、充電樁、Ai服務器電源、大型白電等功率逆變產品提供高性能的碳化硅芯片，同時促進國內8英寸碳化硅襯底及相關工藝裝備的協同發展。
