碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導體，在功率器件領域具備著更高的擊穿電壓、更大的電流承受能力和更寬的溫度適應范圍，且內阻溫度漂移極小、熱穩定性及可靠性遠優于傳統硅器件。

在傳統工業級輔助電源中，往往需要雙管反激拓撲來解決高母線電壓下功率器件耐壓不足的問題，導致成本升高，同時市面上方案通常為固定頻率、無谷底導通，隨著母線電壓越高開關損耗越大；即使使用了 SiC 方案，通常需要加額外的 SiC 專用驅動芯片，還需要考慮上電時序等諸多問題，難以在小體積系統中集成。

在消費領域中，尤其是 PD 快充一直追求小體積、高集成度、高效率和低成本的應用場景，隨著第三代半導體發展，國內已有直驅 GaN 方案，但面向消費級市場直驅 SiC 的專用控制器，國內還較為稀少?；诖耍匾孜⒔谌峦瞥隽丝芍彬?SiC 的 PFC 控制器，省去專用驅動器與上電時序配套電路，讓 BOM 更精簡，同時把 SiC 器件的高速開關優勢穩定釋放出來。

必易微KPE2806S

KPE2806S 是一款支持直驅SiC的離線準諧振式升壓PFC控制器，芯片支持臨界導通模式（CRM）與斷續導通模式（DCM）自適應切換，滿載運行于 CRM、輕載時進入 DCM 并通過降頻與打嗝（Burst）機制有效提升輕載和待機效率，適用于適配器電源、LED 照明以及臺式機/電視等需要高功率因數和低輸入諧波的場景。

KPE2806S 針對直驅 SiC 的系統化需求做了多方面優化，芯片內置16V門極鉗位并提供 ?550mA / +1350mA 大電流驅動，能夠匹配 SiC MOS 管更快的門極充放電需求并縮短開關過渡時間。

KPE2806S 通過谷底導通打準諧振工作點，在 DRAIN 電壓到谷底時再開通以大幅減小開關損耗，最高鉗頻可達 500kHz，并且通過 RSEL 判決機制自動設定最高工作頻率與最大導通時間以匹配不同系統設計。芯片還實現了動態加速、兩檔輸出電壓以及打嗝/降頻曲線等控制策略，讓芯片在效率、功耗、響應速度、EMI 等方面取得更加優秀的平衡。

可靠性與保護方面，KPE2806S 集成了包括 VDD OVP/UVLO、輸入欠壓、輸出欠壓/過壓、逐周期過流、異常過流鎖存、CZ 管腳二級 OVP、過熱關斷以及管腳開短路保護等完整的保護方式，此外具有較低的啟動與待機電流，采用SOT23-6 小尺寸封裝。

KPE2806S 是一款面向高性能電源前端的 PFC 控制器，支持直驅 SiC，專為追求更高效率、更小體積的商業電源產品而設計。該芯片針對新一代高頻功率器件進行了優化，能夠在多種負載工況下維持出色的能效表現并降低輕載與待機功耗，使整機在節能、散熱和可靠性上都有明顯提升。

從產品定位來看，KPE2806S 能幫助適配器、LED 驅動、電源模塊等廠商在保持性能的同時縮減元件數量和 PCB 面積，簡化系統設計并加快工程驗證周期。該芯片內建全面的保護機制與穩健的控制策略，能有效提升整機可靠性并降低出現異常工況時的風險，使終端產品在品質與安全性上更具競爭力。