杭州士蘭微電子2024 年年度業績預告

 1、經公司財務部門初步測算，預計2024年度實現歸屬于母公司所有者的凈 利潤為15,000萬元到19,000萬元，與上年同期相比，將實現扭虧為盈。 

 2、預計2024年度實現歸屬于母公司所有者的扣除非經常性損益后的凈利潤 為18,400 萬元到 22,400 萬元，與上年同期相比，將增加 12,510 萬元到 16,510 萬元，同比增加212.39%到280.31%。

本期業績變動的主要原因 

 （一）報告期內，面對市場競爭加劇的壓力，公司通過持續推出富有競爭力 1 / 3 的產品，持續加大對大型白電、通訊、工業、新能源、汽車等高門檻市場的拓展 力度，加快產品結構調整的步伐。在電源管理芯片、IGBT器件、IPM智能功率 模塊、PIM 功率模塊、碳化硅MOSFET器件、超結MOSFET器件、MEMS傳 感器、MCU電路、SOC電路、快恢復管、TVS管、穩壓管等產品出貨量增長的 帶動下，公司總體營收保持了較快的增長勢頭。 

 （二）報告期內，公司子公司士蘭集成5、6吋芯片生產線、子公司士蘭集 昕8吋芯片生產線、重要參股企業士蘭集科12吋芯片生產線均實現滿負荷生產。 公司已安排技改資金進一步提升8吋線MEMS芯片產能、12吋線IGBT芯片和 模擬電路芯片產能。公司預計2025年5、6、8、12吋芯片生產線將繼續保持較 高的產出水平。 報告期內，公司子公司成都士蘭、成都集佳功率模塊和功率器件封裝生產線 實現了滿負荷生產，公司根據市場需求已安排了多輪產能擴充項目。 報告期內，公司加快子公司士蘭明鎵6吋SiC芯片生產線產能建設，目前士 蘭明鎵已具備月產0.9萬片SiC MOSFET芯片的生產能力。公司已完成了第Ⅲ代、 第Ⅳ代平面柵SiC MOSFET 芯片的開發，性能指標達到業內同類器件結構的先 進水平。基于公司Ⅱ代SiC MOSFET芯片生產的電動汽車主電機驅動模塊，已 實現向下游汽車用戶批量供貨；基于公司Ⅳ代SiC MOSFET芯片生產的電動汽 車主電機驅動模塊已在客戶端驗證，預計2025年實現批量供貨。 報告期內，公司在廈門加快建設一條以SiC MOSFET為主要產品的8英寸 SiC 功率器件芯片制造生產線，項目一期投資規模70億元，規劃產能3.5萬片/ 月，預計2025年年底實現初步通線。 報告期內，公司完成了杭州、廈門兩地LED芯片生產線的整合。整合后的 LED芯片生產線的生產能力已達到14-15萬片/月。公司通過對LED芯片生產線 技術改造，較大提升了mini-LED芯片的生產能力。 

 （三）報告期內，公司在積極擴大芯片生產線和封裝生產線產出能力的同時， 持續開展了各主要環節成本費用控制、管理效率提升等活動，目前已取得了積極 成效。四季度，公司產品綜合毛利率較三季度已有所回升。隨著上述活動的持續 深入進行，預計2025年公司產品綜合毛利率水平將進一步改善。 

 （四）經過二十多年的發展，公司已成為目前國內領先的IDM公司。作為 IDM 公司，公司帶有資產相對偏重的特征，在外部經濟周期變化的壓力下，也 2 / 3 會在一定程度上承受經營利潤波動的壓力。但是相較于輕資產型的Fabless設計 公司，公司在特色工藝和產品的研發上具有更突出的競爭優勢：實現了特色工藝 技術與產品研發的緊密互動，以及集成電路、功率器件、功率模塊、MEMS 傳 感器、光電器件和第三代化合物半導體芯片的協同發展；公司依托IDM模式形 成的設計與工藝相結合的綜合實力，加快提升產品品質、加強控制成本，向客戶 提供高質量、高性價比的產品與服務，可滿足下游整機（整車）用戶多樣化需求， 具有較強的市場競爭能力。2024 年全年，公司電路和器件成品的銷售收入中， 已有超過75%的收入來自大型白電、通訊、工業、新能源、汽車等高門檻市場。 當前，在國家政策持續支持，以及下游電動汽車、新能源、算力和通訊等行業快 速發展、芯片國產替代進程明顯加快的大背景下，士蘭微電子迎來了較快發展的 新階段。士蘭微電子將持續推動滿足車規級和工業級要求的器件和電路在各生產 線上量，持續推動士蘭微整體營收的較快成長和經營效益的提升。