IOL觀察
數(shù)據(jù)
報告
冷暖智造
EN
士蘭微公告，近期，廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司SiC功率器件生產線已實現(xiàn)初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功，首批投片產品各項參數(shù)指標達到設計要求，項目取得了階段性進展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設備的安裝、調試，目標是在今年年底形成月產2000片6英寸SiC芯片的生產能力。
公告顯示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術的開發(fā)，性能指標達到業(yè)內同類器件結構的先進水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅功率模塊上，參數(shù)指標較好，繼續(xù)完成評測，即將向客戶送樣。
